【EC Markets交易平台】中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎 行业有望维系供不应求态势
①根据摩根士丹利的中长奏仍最新预测，2026年第三季度，期存求态DDR4等成熟DRAM的储产价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。放节 ②财信证券何晨认为行业整体进入量利齐升的偏谨EC Markets交易平台兑现周期，且中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎，慎行势EC Markets集团官网注册行业有望维系供不应求态势。系供
根据摩根士丹利的中长奏仍最新预测，2026年第三季度，期存求态DDR4等成熟DRAM的储产价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。放节摩根士丹利表示，偏谨成熟的慎行势EC Markets外汇交易平台DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。系供而造成这一局面的中长奏仍主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。
财信证券何晨认为2026年存储原厂扩产资源集中倾斜高附加值HBM产品，传统DRAM、NAND闪存有效供给增量有限，行业整体供需缺口持续扩大，合约价格稳步上行，行业整体进入量利齐升的兑现周期，且中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎，行业有望维系供不应求态势。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
长鑫科技深耕DRAM存储芯片的设计与制造，通过持续的研发投入与技术探索，已掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术。
有研新材12英寸高纯钽靶材适配3DNAND/DRAM/HBM先进存储，已应用于国内外多家头部芯片企业。
关联个股：长鑫科技(sh688825)、有研新材(sh600206)
根据摩根士丹利的中长奏仍最新预测，2026年第三季度，期存求态DDR4等成熟DRAM的储产价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。放节摩根士丹利表示，偏谨成熟的慎行势EC Markets外汇交易平台DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。系供而造成这一局面的中长奏仍主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。
财信证券何晨认为2026年存储原厂扩产资源集中倾斜高附加值HBM产品，传统DRAM、NAND闪存有效供给增量有限，行业整体供需缺口持续扩大，合约价格稳步上行，行业整体进入量利齐升的兑现周期，且中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎，行业有望维系供不应求态势。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
长鑫科技深耕DRAM存储芯片的设计与制造，通过持续的研发投入与技术探索，已掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术。
有研新材12英寸高纯钽靶材适配3DNAND/DRAM/HBM先进存储，已应用于国内外多家头部芯片企业。
关联个股：长鑫科技(sh688825)、有研新材(sh600206)
